|
|
Tài trợ cho PIC Vietnam |
||||||||
| Tự giới thiệu Dành cho các thành viên hoặc các đơn vị kỹ thuật tự giới thiệu |
 |
|
|
Ðiều Chỉnh | Xếp Bài |
|
|
17-02-2012, 05:56 PM
|
#1 |
|
Đệ tử 1 túi
Tham gia ngày: Aug 2005
Bài gửi: 13
: |
Nhờ bạn tìm hộ bài báo này:
High transconductance and velocity overshoot in NMOS devices at the 0.1 μ gate-length level
http://dx.doi.org/10.1109/TIE.2010.2077615 CMOS scaling into the 21st century: 0.1 µm and beyond http://dx.doi.org/10.1147/rd.391.0245 Drain current enhancement due to velocity overshoot effects and its analytic modeling http://dx.doi.org/10.1109/16.543021 Cảm ơn bạn. |
|
|
Hybrid Mode
