![]() |
|
Tài trợ cho PIC Vietnam |
Luận văn tốt nghiệp Nếu bạn thắc mắc vì sao chúng tôi muốn phổ biến các luận văn tốt nghiệp? Xin xem tại đây |
![]() |
|
Ðiều Chỉnh | Xếp Bài |
|
![]() |
#1 |
Đệ tử 4 túi
Tham gia ngày: Nov 2008
Bài gửi: 84
: |
Làm mí cài mạch power này, phải có oxilo thì mới biết được ah. oxilo digital thì mới đảm bảo hiệu quả khảo sát ah. em chưa dùng thấp thế bao giờ, tầm 33ohm là thấp lắm rồi. khi đó phải găn thêm 1 con diode xung song song vơi Rgate để tăng tốc độ xả Cin khi đóng fet.
thường Fet die do trùng dẫn như bác nói đấy con dưới chưa đóng con trên đã mở thế là tèo, mấy mạch công suất như máy hàn, máy EDM người ta phải đóng fet hợac IGBT bằng áp ÂM để đảm bảo tốc độ đóng ah b/r |
![]() |
![]() |
![]() |
#2 |
Đệ tử 6 túi
Tham gia ngày: Apr 2006
Bài gửi: 125
: |
Em cũng thấy một số mạch người ta gắn thêm một con diode + điện trở song song với con điện trở cực Gate.
Em không hiểu làm thế có ý nghĩa gì? vì con IR2110 này cho dòng I/O bằng nhau và bằng 2A thế sao mình không làm luôn một con điện trở nhỏ vào cực Gate để giúp đóng nhanh và mở cũng nhanh hơn? |
![]() |
![]() |
![]() |
#3 | |
Đệ tử 4 túi
Tham gia ngày: Nov 2008
Bài gửi: 84
: |
Trích:
dòng điện lớn đi qua Cực gate thời gian quá dài thì làm tèo luôn fet ah |
|
![]() |
![]() |
![]() |
|
|